本中心的電漿蝕刻統：反應式離子蝕刻機(Reactive Ion Etching)，結合了物理性的離子轟擊與化學反應性蝕刻，兼具非等向性與高蝕刻選擇比的優點，製程氣體包含CF4、SF6、O2、N2、Ar，主要功能可分為

(一)矽基材質的蝕刻，製程氣體是以氟離子電漿(Fluoride-based)為基礎，包含二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiN)與多晶矽(Poly-Si)等材料蝕刻，對於W及Carbon亦有優異的蝕刻能力；

(二)進行表面改質，加入O / Ar離子轟擊可將被蝕刻材質表面的原子鍵結破壞，加速反應速率，同時可將再沈積於被蝕刻表面的產物或聚合物打掉，使被蝕刻表面能再與蝕刻氣體接觸。

詳細的蝕刻材料及表面改質功能請詳見下圖。主要優勢在於操作簡易，對於進機的材料限制少，光阻等有機材料與金屬都可以進入腔體。

製程氣體：CF4、SF6、O2、Ar
試片尺寸：破片~up to 6” wafer
Rf最大功率：500W
蝕刻材料：
    (1) 矽、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiN)與多晶矽(Poly-Si)等Si-base材料
    (2) W及Carbon
    (3) 光阻有機材料
    (4) 金屬物理性蝕刻

試片表面需確認乾淨無粉塵。

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