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| 本儀器由掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)與聚焦式離子束顯微鏡(FIB)及能量分散式光譜分析儀(EDS)所組成。能提供試件樣品在高/低加速電壓之掃描觀察可獲得超高解析影像之能力，加速電壓15kV解像力1nm、1kV、1.9nm。裝設聚焦離子束，可進行切削及同步影像觀察。同時加裝EDS電腦分析系統，以擷取高解析數位影像及成份定性、定量等分析。影像及分析檔案資料均能系統化存檔，並透過網路安全傳輸至使用者。 |
| 一、儀器設備說明 |
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本儀器為蔡司公司AURIGA場發射型掃描式電子顯微鏡，並裝設EDS分析 系統及FIB切削功能。
於2011年1月裝機完成，2011年4月開始服務。
儀器規格：
- 熱場效燈絲( Schottky emitter ) Acceleration Voltage： from 0.1KV to 30 KV.(Continuous mode)
- 二次電子像 (SE)解析度 Better than 1.0 nm at 15kV in high vacuum operating mode. Better than 1.9 nm at 1kV in high vacuum operating mode.
- 倍率範圍12 X to 1,000,000 X（SE Mode）
- 五軸電腦馬達控制台 X 軸移動距離100 mm．Y 軸移動距離 100 mm Z 軸移動距離 50 mm‧旋轉連續360°．T軸-10度至60度
- EDS偵測範圍B到Am．Resolution:125
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| 二、服務項目 |
- 「掃描式電子顯微鏡」(Scanning Electron Microscope)影像觀察
- SEI(Scanning Electron Image)： 各式材料之顯微影像及破斷面、金相表面觀察。
- BEI(Backscattered Electron Image)： TOPO(Topography)，凹凸表面觀察。 COMPO(Composition)，元素鑑別及分析。
- 「能量分散光譜儀」(Energy Dispersive Spectrometer)可作微區成分之定性、半定量分析、linescan及mapping。
- 「離子束顯微鏡」（Focus Ion Beam）可進行定點縱剖面切削及同步影像觀察（Pt 氣體注入器尚在採購中，FIB暫不開放）。
- 「電荷累積消除器」（Charge Compensator）適合非導體試片觀察。
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| 三、取樣應注意事項 |
- 試件取樣直徑最大不超過50mm(最好在10mm以內為宜)，最大高度20mm，試件請自行前處理。
- 如為非金屬、粉體試件，請先做蒸鍍及固定處理。
- 試件需不含水分、磁性、揮發性物質。
- 本儀器拒絕受理含有毒性、腐蝕性、揮發性及低熔點等之試件。
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| 四、收費辦法及標準 |
| 以國科會-基礎研究核心設施預約服務管理系統為主，請上線查閱：儀器計費查詢。 |
| 五、預約注意事項 |
- 首次欲使用本儀器,請於預約前先與技術人員接洽.
- 每月28日下午2:00開放下個月份使用時段(由國科會貴儀資訊管理系統預約)。
- 已完成預約之使用者,請於使用當日的二~三天前先行查詢儀器狀況.
- 已完成預約,若欲取消,請於使用日的三天前上網取消,否則使用費需計.
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| 六、本儀器之指導教授與技術員 |
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| 七、本儀器放置地點 |
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