ALD係利用前驅物氣體與基板表面所產生的自我侷限(self-limiting)交互反應，當反應氣體與基板表面形成單層化學吸附後，反應氣體不再與表面反應，成長厚度精確性可控制在Å原子等級，且均勻性極佳。

本設備成長之鍍層厚度精確性高且品質穩定，可應用於生物晶片、綠能生醫產業、體晶圓製程、3D IC封裝、LED發光二極體、功能性襯底、功率元件等。

本原子層沉積系統目前可鍍製的材料包含Al2O3、HfO2、SiO2，及TiO2，該系統為芬蘭Picosun Oy公司之最新研發技術，其中包含電漿系統及Ozone系統，為全台灣最先進的原子層鍍膜設備之一。此外，目前機台對基板無特別限制，大部分基材皆可進行鍍膜，且製程溫度較低，對較不耐高溫基板亦可進行鍍膜。

提供Al2O3、HfO2、SiO2，及TiO2氧化物沉積。

僅可鍍破片~8寸wafer大小之試片，且表面需乾淨無粉末殘留。

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