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| 本儀器結合日本HITACHI SU-5000熱場效型高解析場發射型掃描式電子顯微鏡、美國EDAX能量散射光譜儀(EDS)及電子背向繞射儀(EBSD)，可做為各式材料表面影像及形貌觀察、快速元素定性、半定量分析、元素分布分析、晶體結構分析等，是目前最先進之複合型電子顯微鏡之一，在應用上極為廣泛。 |
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一、儀器設備說明
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2016年12月裝機完成，2017年1月開放服務。
儀器規格：
- 熱場效燈絲(ZrO/W Schottky emission electron gun)
- 加速電壓：0.5KV to 30 KV
- 二次電子像 (SE) 解析度：
Better than 1.2 nm at 30kV
Better than 2.0 nm at 1KV(使用減速功能，加速電壓：1kV)
VP模式：3.0nm at 15KV
- 五軸電腦馬達控制台：X 軸移動距離0-100 mm，Y 軸移動距離0-50 mm，Z 軸移動距離3-65 mm，旋轉連續360°，T-20度至90度。
- EDS偵測範圍B到Am，Resolution：125eV
- EBSD收集速度200點/秒，解析度1392×1040
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| 二、服務項目 |
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表面觀察及照相：
SEI(Scanning Electron Image)影像：解析度高，作物體表面之觀察。
BEI(Backscattered Electron Image)影像：成份組成及元素鑑別分析。
-TOPO （Topography）：表面凹凸形貌觀察。
-COMPO （Composition）：元素分佈鑑別及分析。
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EDS分析： 微區成份元素定性、半定量分析、元素分布分析(mapping、linescanning)等。
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EBSD 分析：反極圖分佈圖、極圖、ODF、晶體結構鑑定等。
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三、取樣應注意事項
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取樣
一般SEM：
-取樣直徑最好在10mm以內，最大高度10mm內為宜。
-如有多個樣品，請自行以導電之金屬載片(最大不超過50mm)依序黏貼固定好，每個樣品觀察面要同高，底部要平整。
-非金屬、粉體試件請先做固定及鍍金等前處理。
EBSD：
-樣品須為穩定之塊材 (不得為粉體、高分子及鑲埋試件)，且須提供樣品已知相(phase)。
-樣品直徑限制在10mm以內，最大高度3mm內為宜，並請自行表面處理，至少於光學顯微下沒刮痕。每次單片送樣。
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本儀器為先進之精密設備，為維護儀器之性能，拒絕受理含有水份、磁性、腐蝕性、低熔點(高分子)、易揮發性(含鑲埋)、污染性及傳染性之樣品。
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| 四、收費辦法及標準 |
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以國科會-基礎研究核心設施預約服務管理系統為主，請上線查閱：儀器計費查詢。
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| 五、聯絡方式 |
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姓名 |
電話 |
電子郵件 |
| 技術員 |
劉彩芸小姐 |
06-2757575 轉 31373 |
z10508127@email.ncku.edu.tw |
| 樣品寄送 |
地址：701401 臺南市東區大學路1號 國立成功大學 核心設施中心 收件人：劉彩芸小姐
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| 六、儀器放置地點 |
| 國立成功大學自強校區儀器設備大樓2樓206室 |
| 七、申請表格及注意事項 |
- 每月28日下午2:00 開放下個月份使用時段，由國科會貴儀資訊管理系統預約。
- 預約前請先看儀器公告事項，並請於使用前一日查詢儀器狀況。
- 若欲取消預約，請於使用日的三天前上網取消，否則需計基本使用費。
- EBSD為「送件代測」方式，如需使用，請先預約EBSD時段，填妥申請表，再一併送樣品。
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