X光繞射儀，在材料研發上為一種簡單、直接、非破壞性之材料鑑定實驗裝置，諸如對金屬材料、陶瓷材料及電子薄膜之研發具有相當的重要性。近幾年來，各項工業產品皆朝輕、薄及高效率發展，因而薄膜和鍍層廣泛被應用在技術密集型的工業上，且其發展又皆朝向厚度愈來愈薄的方向，因此，對薄膜料之分析便愈顯現其重要性。以往傳統的X光繞射儀，已無法應付當前工業發展的需要，取而代之便是多功能的薄膜繞射儀。
多功能高功率薄膜微區X光繞射儀(Bruker D8 Discover)，使用布魯克公司新一代的旋轉式陽極(rotating anode)，繞射儀可進行薄膜低掠角繞射(Glancing Incident angle Diffraction)，磊晶樣品的高解析度(High Resolution Diffraction)量測添加濃度及厚度，薄膜材料或金屬材料的殘留應力(Residual stress)，以及方向性組織研究的極圖(Pole figure texture)測定，高解析度繞射亦可進行磊晶薄膜Rocking curve測定而確定其成長方向性的一致性，X光反射率(Reflectivity)量測薄膜厚度/密度及介面粗糙度。
另外在偵測器的部份亦使用最新的半導體高解析度偵測器(Lynxeye-XET)，其最大的特色是具有很好的能量解析度(~380eV，一般閃爍計數器為1600eV)，可藉由能窗的調整，以不使用單光器而達到去除因樣品中含鐵、鈷、鎳、錳等材料而產生高背景的狀況，同時偵測器亦可以由電腦設定變更其0D、1D的偵測模式，對於一台設備做多項研究時提供了最大的彈性。

• 儀器裝機時間：2018年1月
• 加入貴儀時間：2001年12月
• 廠牌：布魯克(Bruker)
• 6 kW Rotating Anode X-ray Generator

1. 多晶薄膜低掠角繞射(GID)、一般繞射分析
2. 殘留應力(Residual stress)測定
3. 極圖組織(Pole figure texture)
4. 單晶薄膜Rocking curve測定及模擬分析
5. 薄膜Reflectivity測定及模擬分析
6. 微區繞射分析
7. 高溫繞射分析

1. 多晶薄膜低掠角繞射：
   樣品準備：薄膜樣品，1cm*1cm
   （膜厚：20~200 nm；建議由此模式量測；若是厚膜建議勾選一般繞射分析測定）（若是鉻錳鐵鈷材料，請標示））
2. 殘留應力(Residual stress)：薄膜樣品及金屬樣品
   樣品準備：2cm*2cm，並需繞射角度(2Theta)，大於85°處有繞射尖峰
   （薄膜樣品之膜厚至少須200 nm）
3. 極圖組織(Pole figure texture)：薄膜樣品及金屬樣品
   樣品準備：2cm*2cm
4. Rocking curve：
   樣品準備：磊晶薄膜樣品，大於1cm*1cm

• 本儀器以序號預約，於網路上取得預約序號者，須填寫申請表格，並將試片及申請表送交技術員才算完成預約程序。每一序號預約樣品限制數量如下：

1. 多晶薄膜低掠角繞射、一般繞射分析：
   數量：一般測試條件為8個樣品，若是慢速掃瞄則為2個樣品。
2. 殘留應力(Residual stress)：
   數量：2個樣品。
3. 極圖組織(Pole figure texture)：
   數量：2個樣品。
4. Rocking curve：
   數量：4個樣品。
5. Reflectivity：
   數量：4個樣品。
6. 微區繞射分析：
   數量：8個樣品。
7. 高溫繞射分析：
   數量：2個樣品。

以國家科學及技術委員會-基礎研究核心設施預約服務管理系統為主，請上線查閱：儀器計費查詢。

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