NCKU, Core Facility Center,

1.　High Resolution Image高解析像能力可達0.1nm。

2.　μ-Diffraction微區繞射分析可小至1nm範圍。

3.　CBED(Convergent Beam Electron Diffraction)收斂電子束繞射圓盤強度分佈，可分析獲得微觀結構三度空間資料。

4.　EDX能量分散光譜儀可提供微區分析中化學元素的定性及半定量。

5.　EELS電子能量減損儀可提供微區分析中輕元素，化學鍵結等更正確的相關資料。

1.　金相觀察及照相：

　　(a) SEI （Scanning Electron Image）： 生物、金屬、陶瓷、薄膜等材料之顯微鏡影像及破斷面、金相表面觀察。

　　(b) BEI （Backscattered Electron Image）：

　　TOPO （Topography）：凹凸表面形貌觀察。

　　COMPO （Composition）：成分元素鑑別及分析。

2.　能量分散式光譜儀：微區顯微結構之定性及半定量分析。

1、表面觀察及照相：

　 (a) SEI(Scanning Electron Image)影像：解析度高,主要作物體表面之觀察。

　 (b) BEI(Backscattered Electron Image)影像：成份組成及元素鑑別分析。

　 TOPO （Topography）：表面凹凸形貌觀察。

　 COMPO （Composition）：元素分佈鑑別及分析。

2、EDS分析： 微區成份元素定性、半定量分析、元素分布分析(mapping、linescanning)等。

1.　金相觀察及照相：

　　(a) SEI(Scanning Electron Image)： 影像觀察，破斷面、金相表面觀察。

　　(b) BEI(Backscattered Electron Image)：

　　TOPO(Topography)，凹凸表面觀察。

　　COMPO(Composition)，元素鑑別及分析。

2.　「能量分散光譜儀」(Energy Dispersive X-ray Spectrometer)可作微區成分之定性、半定量分析。

1.　本儀器可提供樣品中各種微量元素濃度的分析服務，分析內容依委託單位需求可分為：

　　(a)半定量分析：可提供元素及元素的濃度範圍。

　　(b)定量分析：提供確切的分析數據。

2.　分析服務對象包括：材料科技研究；環境、食品及藥品研究；生物醫學、化學及工業產品分析等有關研究領域的原素分析服務。

一般服務：

(a) 表面成份分析。

(b) 縱深分佈。

1.　EI，CI，FAB，FD Mode之一般解析度質譜測定。

2.　EI，CI Mode 高解析度質譜測定及組成演算。

3.　EI，CI，FAB，FD Mode之負離子質譜測定。

1.　對蛋白質或胜樣品作精確分子量測定。

2.　對蛋白質樣品進行酵素消化，經由質譜分析經酵素消化所產生的胜，並利用序列資料庫作蛋白質搜尋鑑定。

1.　一般服務： ¹³C，²⁹Si，³¹P，²⁷Al，²³Na，¹¹⁹Sn，¹¹B，²H，⁷Li，⁵¹V 等。

2.　特殊服務：

　　(a) 2D。

　　(b) 變溫實驗。

1.　一維光譜：¹H、¹³C ( DEPT90、DEPT135)、²⁹Si、³¹P 等異核圖譜。

2.　二維光譜：COSY、NOESY、ROESY、TOCSY、HMBC、HMQC 等 。

3.　傳送圖譜及畫圖諮詢。

1.　一維光譜：¹H、¹³C ( DEPT90、DEPT135)、¹⁹F、³¹P。

　　二維光譜：COSY、NOESY、TOCSY、HMQC、HMBC、INADEQUATE、ROESY 。

2.　推測分子式或結構式 (請註明樣品重量級分子量)

1.　一維H 核光譜：H 光譜,同核解偶光譜,選擇性NOE光譜

2.　一維異核光譜：¹³C,¹⁹F,³¹P,²⁹Si,²D,⁶Li,⁷¹Ga,¹⁷O,¹⁵N,²⁷Al ,光譜定量,DEPT 光譜,QUAT 光譜等

3.　二維同核光譜：COSY,NOESY,ROESY,HOHAHA,INAD QUATE,2D COSY,2D NOESY exchange 及以上各式實驗的water suppression 等

4.　二維異核光譜：HMQC,HSQC,HMBC 及以上各式實驗的water suppression 等

5.　自旋晶格磁緩：H核, X核(I>0)

6.　擴散實驗：Diffusion, DOSY

7.　Obs H, Dec.³¹P, Obs H, Dec.¹⁹F Obs H, Dec.²D

8.　探測dynamic 分子異構化的現象,異熱解的試樣於低溫測其結構

9.　2D-.¹⁵N-HSQC, 2D-.¹³C-HSQC, 2D-NOESY, HNCA,HN(CO)CA, CBCA(CO)NH, CBCANH, HNCACB, HBHA(CO)NH, H(CCCO)NH, (CCO)NH, TROSY, HCCH-COSY, HCCH-TOCSY, 3D-.¹⁵N-NOESY, .¹³C-NOESY, 動力學實驗

1.　Auger Line Scan

2.　Auger Mapping

3.　Depth profile

4.　Fracture stage(AES)

1.　SAXS with VANTEC-2000 for 1070 mm

2.　SAXS with VANTEC-2000 for 670 mm

3.　WAXS with VANTEC-2000 for 270 mm

4.　WAXS with IP for 98 mm

5.　WAXS with IP for 50 mm

6.　SAXS with VANTEC-2000 for 1070 mm, Heating, and Cooling

7.　SAXS with VANTEC-2000 for 670 mm, Heating, and Cooling

8.　WAXS with VANTEC-2000 for 270 mm, Heating, and Cooling

1.　粉末繞射 (X-Ray Diffraction)

2.　殘留應力 (Residual Stress)

3.　織構分析 (Texture)

4.　變溫實驗 (Temperature) with DHS 900

5.　拉力實驗 (Tensile)

6.　廣角散射 (WAXS)

7.　X光反射率 (X-Ray Reflectometry)

8.　拉力實驗 (Tensile)

9.　X光低掠角 (Grazing incidence X-Ray Diffraction)

10.　In Plane Grazing incidence X-Ray Diffraction

11.　Rocking Curve

12.　Phi Scan

1.　Bulk Analysis：

　　(a) 鐵合金：碳鋼、不鏽鋼、工具鋼、鑄鐵。

　　(b) 鋁合金：Al/Mg/Zn、Al/Si/Cu、純 Al。

　　(c) 銅合金：青銅、黃銅、純銅。

　　(d) 鎂合金：Mg/Al/Zn。

　　(e) 鈦合金

　　(f) 鈦鉛合金：純鉛、鉛/錫合金。

　　(g) 鈦錫合金：純錫、錫/鉛合金。

　　(h) 鈦鈷合金

　　(i) 鎳合金

　　(j) 鋅合金

2.　表面縱層分析：

　　(a) 陶瓷鍍層：鍍 TiN、TiCN、VC、WC ....等。

　　(b) 金屬鍍層：鍍 Zn、Al、Sn、Cu、Ni等。

3.　非導體表面定性分析。

1.　表面元素成分分析

2.　Depth. profile

1.　多晶薄膜低掠角繞射及PDF鑑定分析。

2.　殘留應力(Residual stress)測定。

3.　極圖組織(Pole figure texture)。

4.　單晶薄膜Rocking curve測定及模擬分析。

5.　薄膜Reflectivity測定及模擬分析。

6.　Reciprocal space map測定。

1.　直流磁化率測量測：溫度範圍 2K~ 400K，磁場範圍 0 Gauss~±70000 Gauss。

2.　磁滯曲線量測：溫度範圍 2K~ 400K，磁場範圍 0 Gauss~±70000 Gauss。

3.　流磁化率量測：溫度範圍 2K~ 400K，磁場範圍 0 Gauss~±70000 Gauss，最大交流磁場振福與頻率分別為100e與1000Hz。

※本設備提供博士後研究員等諮詢服務，對實驗結果有疑問者歡迎隨時來電或 e-mail 討論。

1.　氦氣液化，供應液態氦。（需於三天前預約）

2.　回收氦氣純度測定。

3.　液氦桶提供交換運輸。（如自備桶須於前兩天灌1/5桶液氮預冷）

1.超高解析定點縱剖面切割

2.特殊圖形製作

3.選擇性的Pt / C 表面蒸鍍

4.TEM試片製備

5.元素成份分析

1.分子量測定

2.LC-MS分析(大、小分子)

3.zipchip CE-MS 分析

4.蛋白質身分鑑定

5.In gel digestion

5.蛋白質體定量(雙甲基標定)

5.蛋白質藥物結構分析