軟物質穿透式電子顯微鏡
（軟物質TEM）

[技術手冊]

一般TEM明、暗視野之觀察，及影相擷取。

高解析穿透電子顯微鏡
（HR-TEM）

[技術手冊]

1. 一般TEM明、暗視野像，HRTEM mode可達0.1nm，STEM mode可達0.12nm。
2. 高解析掃描穿透明、暗視野像（HR STEM BF and HAADF）。
3. nano-beam Diffraction微區繞射分析 。
4. CBED（Convergent Beam Electron Diffraction）收斂電子束繞射圓盤強度分佈，可分析獲得微觀結構三度空間資料。
5. EDS能量分散光譜儀可提供微區分析中化學元素的定性及半定量及化學元素mapping／linescan分析。
6. EELS電子能量損失光譜分析儀可提供微區分析中輕元素，化學鍵結等更正確的相關資料，Energy resolution可達1ev 。

高解析掃描電子顯微鏡
（HR-SEM）

[技術手冊]

1. 金相觀察及照相：
   1. SEI（Scanning Electron Image）：奈米、金屬、陶瓷、薄膜材料之顯微鏡影像及破斷面、金相表面觀察。
   2. BEI（Backscattered Electron Image）：
      TOPO（Topography）：凹凸表面形貌觀察。
      COMPO（Com position）：成分元素鑑別及分析。。
2. 能量分散式光譜儀（EDS）：
   1. 微區顯微結構之定性及半定量分析，及元素分佈分析（mapping、linescanning）。
   2. 配備超高感度平插式能量分散式光譜儀（108年12月），可以用低電壓設定分析薄膜或奈米線等材料，此為最新功能的高解析分析設備。功能為定性及半定量分析，及元素分佈分析（mapping、linescanning）。

多功能環境場發掃描式
電子顯微鏡
（EFE-SEM）

[技術手冊]

1. 表面觀察及照相：
   1. SEI（Scanning Electron Image）影像：解析度高,主要作物體表面之觀察。
   2. BEI（Backscattered Electron Image）影像：成份組成及元素鑑別分析。
      TOPO（Topography）：表面凹凸形貌觀察。
      COMPO（Composition）：元素分佈鑑別及分析。
2. EDS分析： 微區成份元素定性、半定量分析、元素分布分析（mapping、linescanning）等。

1. 金相觀察及照相：
   1. SEI（Scanning Electron Image）： 影像觀察，破斷面、金相表面觀察。
   2. BEI（Backscattered Electron Image）：
      TOPO（Topography），凹凸表面觀察。
      COMPO（Composition），元素鑑別及分析。
2. 「能量分散光譜儀」（Energy Dispersive X-ray Spectrometer）可作微區成分之定性、半定量分析。

1. 本儀器可提供樣品中各種微量元素濃度的分析服務，分析內容依委託單位需求可分為：
   1. 半定量分析：可提供元素及元素的濃度範圍。
   2. 定量分析：提供確切的分析數據。
2. 分析服務對象包括：材料科技研究；環境、食品及藥品研究；生物醫學、化學及工業產品分析等有關研究領域的原素分析服務。

附件：高解析液相層析串聯質譜儀（UPLC-QTOF-MS），可用以分析高效能液相層析分離及分子量測定及定量分析。

高解析氣相層析飛行質譜儀
（HRMS）

[技術手冊]

1. EI，CI，FAB，FD Mode之一般解析度質譜測定。
2. EI，CI Mode 高解析度質譜測定及組成演算。
3. EI，CI，FAB，FD Mode之負離子質譜測定。

固態核磁共振光譜儀
（SS-NMR）

[技術手冊]

1. 一般服務： ¹³C，²⁹Si，³¹P，²⁷Al，²³Na，¹¹⁹Sn，¹¹B，²H，⁷Li，⁵¹V 等。
2. 特殊服務：
   1. 2D。
   2. 變溫實驗。

超導核磁共振儀500NMR
（500NMR）

[技術手冊]

1. 一維光譜：¹H、¹³C （ DEPT90、DEPT135）、¹⁹F、³¹P。
2. 二維光譜：COSY、NOESY、TOCSY、HMQC、HMBC、INADEQUATE、ROESY 。
3. 推測分子式或結構式 （請註明樣品重量級分子量）

600MHz 核磁共振儀
（600NMR）

[技術手冊]

1. 一維光譜：¹H、¹³C （ DEPT90、DEPT135）、²⁹Si、³¹P 等異核圖譜。
2. 二維光譜：COSY、NOESY、ROESY、TOCSY、HMBC、HMQC 等 。
3. 傳送圖及畫圖諮詢。

AVIII HD 700MHz
高磁場超導核磁共振儀
（700NMR）

1. 一維H 核光譜：H 光譜,同核解偶光譜,選擇性NOE光譜
2. 一維異核光譜：¹³C,¹⁹F,³¹P,²⁹Si,²D,⁶Li,⁷¹Ga,¹⁷O,¹⁵N,²⁷Al ,光譜定量,DEPT 光譜,QUAT 光譜等
3. 二維同核光譜：COSY,NOESY,ROESY,HOHAHA,INAD QUATE,2D COSY,2D NOESY exchange 及以上各式實驗的water suppression 等
4. 二維異核光譜：HMQC,HSQC,HMBC 及以上各式實驗的water suppression 等
5. 自旋晶格磁緩：H核, X核（I>0）
6. 擴散實驗：Diffusion, DOSY
7. Obs H, Dec.³¹P, Obs H, Dec.¹⁹F Obs H, Dec.²D
8. 探測dynamic 分子異構化的現象,異熱解的試樣於低溫測其結構
9. 2D-.¹⁵N-HSQC, 2D-.¹³C-HSQC, 2D-NOESY, HNCA,HN（CO）CA, CBCA（CO）NH, CBCANH, HNCACB, HBHA（CO）NH, H（CCCO）NH, （CCO）NH, TROSY, HCCH-COSY, HCCH-TOCSY, 3D-.¹⁵N-NOESY, .¹³C-NOESY, 動力學實驗

高溫二維X-ray廣角繞射儀
（粉末X光二維繞射&
低掠角薄膜X光繞射儀）
（XRD2）

[技術手冊]

1. 粉末繞射 （X-Ray Diffraction）
2. 殘留應力 （Residual Stress）
3. 織構分析 （Texture）
4. 變溫實驗 （Temperature） with DHS 900
5. 拉力實驗 （Tensile）
6. 廣角散射 （WAXS）
7. X光反射率 （X-Ray Reflectometry）
8. 拉力實驗 （Tensile）
9. X光低掠角 （Grazing incidence X-Ray Diffraction）
10. In Plane Grazing incidence X-Ray Diffraction
11. Rocking Curve
12. Phi Scan

元素分析儀應用於分析各式固體、液體或黏稠狀物質之氮、碳、氫、硫及氧元素，提供各元素之重量百分比。
可分析之樣品種類：

• 化學及藥學物質
• 地質學物質
• 農產品
• 油品或煤炭及其衍生物
• 合成物
• 環境保護類樣品
• 有機金屬之有機成分鑑定
• 無機金屬之表面附著或反應之有機成分鑑定

化學分析電子光譜儀
（ESCA-XPS）

[技術手冊]

1. 表面元素成分分析
2. Depth. profile

高強度多功能X光
薄膜微區繞射儀
（XRD）

[技術手冊]

1. 多晶薄膜低掠角繞射(GID)
2. 殘留應力(Residual stress)測定
3. 極圖組織(Pole figure texture)
4. 單晶薄膜Rocking curve測定及模擬分析
5. 薄膜Reflectivity測定及模擬分析
6. 微區繞射分析
7. 高溫繞射分析

超導量子干涉磁化儀
（SQUID）

[技術手冊]

1. 直流磁化率測量測：溫度範圍 2K~ 400K，磁場範圍 0 Gauss~±70000 Gauss。
2. 磁滯曲線量測：溫度範圍 2K~ 400K，磁場範圍 0 Gauss~±70000 Gauss。
3. 交流磁化率量測：溫度範圍 2K~ 400K，磁場範圍 0 Gauss~±70000 Gauss，最大交流磁場振福與頻率分別為100e1000Hz。

※本設備提供博士後研究員等諮詢服務，對實驗結果有疑問者歡迎隨時來電或 e-mail 討論。

氦液化系統
（HLS）

[技術手冊]

1. 氦氣液化，供應液態氦。（需於三天前預約）
2. 回收氦氣純度測定。
3. 液氦桶提供交換運輸。（如自備桶須於前兩天灌1/5桶液氮預冷）

（FIB）

[技術手冊]

1. 超高解析定點縱剖面切割
2. 特殊圖形製作
3. 選擇性的Pt / C 表面蒸鍍
4. TEM試片製備
5. 元素成份分析

高解析Orbitrap質譜儀
串聯液相層析
暨晶片電泳分析系統
（CE/LC-MS）

[技術手冊]

1. 分子量測定：以質譜測定純化過的化合物分子量。
2. 單一成分高解析ESI-MS/MS：以質譜測定純化過的化合物分子量及二次質譜圖（可包含in-source CID測試或量測）。
3. 額外選定離子ESI-MS/MS：以質譜測定指定離子的二次質譜圖。
4. LC-MS分析（大、小分子）：
   (1) 跑40min LC分離梯度，並連接質譜偵測 (Full-MS, DDA, or DIA)。（樣品需先純化）
   (2) 跑1hr LC分離梯度，並連接質譜偵測 (Full-MS, DDA, or DIA)。（樣品需先純化）
5. ZipChip CE-MS 分析：以ZipChip進行毛細管電泳分離，並連接質譜偵測。（樣品需先純化）。
6. 蛋白質身分鑑定分析：以Nano LC-MS/MS 或 ZipChip CE-MS分析蛋白質。
7. 蛋白質藥物結構分析：使用LC-MS 或 ZipChip CE-MS分析，包含
   (1) Full sequence
   (2) N- or C-terminal sequence
   (3) Disulfide linkage
   (4) N-glycosylation sites and glycan structures
   (5) O-glycosylation sites and structures
   (6) Post-translational modification: such as deamidation and oxidation

1. LC-PRM或LC-SIM定量分析（LC-MS/MS平行反應或目標性選擇離子監測法）：以LC-MS/MS 進行平行反應監測（Parallel Reaction Monitoring）或目標性掃描（Selective Ion Monitoring）二次質譜等數據進行定量。
2. 建立定量方法及檢量線：應用分析設備串聯質譜建立定量方法及檢量線。
3. 蛋白質體定量（雙甲基標定）：胜肽N端的胺基及離胺酸殘基之ε胺基經由甲醛反應與氰硼氫化鈉（NaBH3CN）還原，最後形成二甲基胺，使其分子量增加28 Da；標定樣品混合後，以質譜儀進行分析，取得定量資訊。

1. 資料庫搜尋：將Protein ID分析所得peptide fragmentation data數據進行database search。
2. ZipTip desalting：使用ZipTip進行去鹽濃縮。
3. In gel digestion：對蛋白質進行 tryptic digestion。

物理性質量測系統儀
（PPMS）

[技術手冊]

1. 直流磁化率量測：溫度範圍 2 K~ 400 K，磁場範圍 0 Gauss~±160000 Gauss。
2. 交流磁化率量測：溫度範圍 2 K~ 400 K，磁場範圍 0 Gauss~±160000 Gauss。最大交流磁場振幅與頻率分別為100e與10000Hz，最低頻率10 Hz。
3. 比熱量測：溫度範圍 2 K~ 400 K，磁場範圍 0 Gauss~±160000 Gauss。
4. 電阻量測：溫度範圍 2 K~ 400 K，磁場範圍 0 Gauss~±160000 Gauss，電流範圍100 fA~100 mA。
5. 熱傳導量測：溫度範圍 2 K~ 400 K，磁場範圍 0 Gauss~±160000 Gauss。
6. 超低溫交流磁化率量測：溫度範圍 0.05 K~ 4 K，磁場範圍 0 Gauss~±120000 Gauss。最大交流磁場振幅與頻率分別為40e與10000Hz，最低頻率10 Hz。
7. 超低溫比熱量測：溫度範圍 0.05 K~ 4 K，磁場範圍 0 Gauss~±160000 Gauss。
8. 超低溫電阻量測：溫度範圍 0.05 K~ 4 K，磁場範圍 0 Gauss~±160000 Gauss，電流範圍100 fA~100 mA。

穿透式電子顯微鏡
（TEM）

1. 明場/暗場影像 
2. 高解析影像 
3. 電子繞射
4. 試片前處理

白光干涉儀
（WLI）

1. 2D/3D量測 (2D/3D measurement)
2. 表面粗糙度 (Surface roughness)
3. 曲面量測 (Curvature measurement)
4. 膜厚/段差量測 (Thickness/Height)
5. 尺度量測 (Dimension measurement)

單晶X-光繞射儀

[技術手冊]

單晶X光繞射儀適用於”單晶”樣品，可以得到原子在空間中排列分布、原子鍵長以及鍵角等資訊。服務項目如下：

• 定晶面
• 晶格常數分析
• 常溫／低溫 數據收集
• 結構解析

提供破片~4吋大小試片微影製程。

原子層沉積系統
（ALD）

[技術手冊]

提供Al2O3、HfO2、SiO2，及TiO2氧化物沉積。

反應式離子蝕刻機
（RIE）

製程氣體：CF4、SF6、O2、Ar
試片尺寸：破片~up to 6” wafer
Rf最大功率：500W
蝕刻材料：
    (1) 矽、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiN)與多晶矽(Poly-Si)等Si-base材料
    (2) W及Carbon
    (3) 光阻有機材料
    (4) 金屬物理性蝕刻

高解析穿透電子顯微鏡

-液態樣品

(LC-TEM)

[技術手冊]